脉冲式进气
ALD 工艺为脉冲式进气,要求尾气破坏器快速响应
原子层沉积(Atomic Layer Deposition)通过自限制表面反应实现原子级精度的薄膜沉积,臭氧作为关键氧化剂在 ALD 工艺中广泛应用。
ALD 工艺通过交替脉冲前驱体和反应物(包括臭氧),在晶圆表面逐层沉积超薄薄膜。每个 ALD 循环中,未反应的臭氧需要被彻底分解。ALD 工艺对尾气处理的要求极高,需要确保超低残留和快速响应。
ALD 工艺为脉冲式进气,要求尾气破坏器快速响应
ALD 工艺对尾气处理效益要求极高,确保无臭氧残留
需要与 ALD 工艺控制器联动的精确尾气管理